
高壓MOS 國(guó)內(nèi)產(chǎn)品存在問(wèn)題:
產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo):
高溫(150℃)漏電大;
電磁輻射EMI難解決;
產(chǎn)品品質(zhì):
老化考核後產(chǎn)品擊穿電壓跌落;
可靠性難以符合工業(yè)要求;
同質(zhì)化嚴(yán)重,技術(shù)陳舊,晶片面積大。
瑞森核心技術(shù):
新型的橫向變摻雜技術(shù);
專(zhuān)有的功率MOS結(jié)構(gòu);
高溫特性?xún)?yōu)良。