（龍巖金剛砂濾料）廠家品種（龍巖金剛砂）
碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為常見的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構(gòu)如頁(yè)面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩(wěn)定，且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會(huì)熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來(lái)取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。
純碳化硅為無(wú)色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。
物質(zhì)結(jié)構(gòu)
純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過(guò)各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過(guò)粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達(dá)到1450℃時(shí)開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成)，且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。
美國(guó)前場(chǎng)地和物問(wèn)題的產(chǎn)生前場(chǎng)地是指曾作為戰(zhàn)場(chǎng)、基地、訓(xùn)練場(chǎng)、軍工廠等用途，但目前已關(guān)閉、轉(zhuǎn)讓或正在轉(zhuǎn)讓的場(chǎng)地。除在用的靶場(chǎng)和海上靶場(chǎng)外，美國(guó)國(guó)內(nèi)有約4處前場(chǎng)地，其中陸地靶場(chǎng)約1萬(wàn)英畝。1場(chǎng)地1.1.1一戰(zhàn)期間的場(chǎng)地美國(guó)在次世界大戰(zhàn)期間曾大力研制、生產(chǎn)和儲(chǔ)備。在1917至1918年間，很多大學(xué)實(shí)驗(yàn)室都進(jìn)行過(guò)研究，其利堅(jiān)大學(xué)是當(dāng)時(shí)美國(guó)的研究機(jī)構(gòu)。
產(chǎn)生VOCs的固定污染源主要包括石油化工、電子、噴涂、皮革、印刷等工業(yè)源。目前國(guó)內(nèi)固定污染源監(jiān)測(cè)對(duì)象主要為非甲烷總烴和揮發(fā)性有機(jī)物特征組分，歐盟和美國(guó)的監(jiān)測(cè)對(duì)象則以總有機(jī)碳（TOC）為主，但監(jiān)測(cè)分析方法均以離子火焰分析為主。針對(duì)固定污染源VOCs排放監(jiān)測(cè)現(xiàn)場(chǎng)手工采樣，實(shí)驗(yàn)室離線分析方法花費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)、數(shù)據(jù)不及時(shí)，且外界的干擾因素（人員、環(huán)境、運(yùn)輸）影響較大。在歐美等發(fā)達(dá)，已經(jīng)逐步應(yīng)用在線儀器對(duì)固定污染源廢氣進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。
沉降比特征在相同污泥濃度下，當(dāng)發(fā)生污泥膨脹時(shí)測(cè)得SVSVI值比正?；钚晕勰嗥?%~3%不等。泥水難以分離，絮凝沉淀歷時(shí)長(zhǎng)，污泥面成層沉降速度非常低，上清液稀少但很清澈，CO氨氮等各項(xiàng)指標(biāo)均處于達(dá)標(biāo)狀態(tài)。做沉降比試驗(yàn)時(shí)，透過(guò)量筒壁可以看到污泥顆粒有吸附氣泡的現(xiàn)象，SVI值越高，吸附氣泡的污泥顆粒越多、越普遍。沉淀一段時(shí)間后可以看到被污泥吸附的氣泡有重新釋放的現(xiàn)象，當(dāng)輕輕敲動(dòng)筒壁釋放更加明顯，沉淀3min后輕輕攪動(dòng)沉淀污泥有更加明顯的氣泡釋放，待其再次沉降3min后測(cè)得SV3值較前有所下降。
