（甘南金剛砂）廠家信譽(yù)高（甘南金剛砂）
碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為常見(jiàn)的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構(gòu)如頁(yè)面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩(wěn)定，且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會(huì)熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來(lái)取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。
純碳化硅為無(wú)色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。
物質(zhì)結(jié)構(gòu)
純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見(jiàn)的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過(guò)各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過(guò)粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開(kāi)始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達(dá)到1450℃時(shí)開(kāi)始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成)，且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。
LCD為非發(fā)光性的顯示裝置，須要借助背光源才能達(dá)到顯示的功能。背光源性能的好壞除了會(huì)直接影響LCD顯像質(zhì)量外，背光源的成本占LCD模塊的3-5%，所消耗的電力更占模塊的75%，可說(shuō)是LCD模塊中相當(dāng)重要的零組件。高精細(xì)、大尺寸的LCD，必須有高性能的背光技術(shù)與之配合，因此當(dāng)LCD產(chǎn)業(yè)努力開(kāi)拓新應(yīng)用領(lǐng)域的同時(shí)，背光技術(shù)的高性能化(如高亮度化、低成本化、低耗電化、輕薄化等)亦扮演著幕后功臣的角色。光源組成主要由光源、導(dǎo)光板、光學(xué)用膜片、塑膠框等組成。
當(dāng)土壤中含有害物質(zhì)過(guò)多，超過(guò)土壤的自凈能力，就會(huì)引起土壤的組成、結(jié)構(gòu)和功能發(fā)生變化，微生物活動(dòng)受到，有害物質(zhì)或其分解產(chǎn)物在土壤中逐漸積累通過(guò)土壤植物人體，或通過(guò)土壤水人體間接被人體吸收，達(dá)到危害人體的程度，就是土壤污染。所以，解決土壤污染這種與人類生活密切相關(guān)的問(wèn)題具有重要意義。固定化技術(shù)利用各種固定劑處理土壤中的污染物，其原理是污染物與固定劑之間的吸附、離子交換以及沉淀以鎖定土壤污染物。常用固定劑有：水泥、石灰以及粘土礦物、鐵錳氧化物、炭質(zhì)材料等。
如在2年，我國(guó)某電廠經(jīng)過(guò)污水處理技術(shù)后，每月平均節(jié)約新鮮水45萬(wàn)立方米。而對(duì)于城市生活用水方面，雖然其危害度和數(shù)量都小于工業(yè)污水，但是若不及時(shí)處理，仍然阻礙著城市的發(fā)展。在我國(guó)城市污水的監(jiān)測(cè)和處理的過(guò)程中，仍存在著一系列的問(wèn)題。我國(guó)現(xiàn)今城市污水處理過(guò)于集中，覆蓋范圍并不；污水回用系統(tǒng)尚未建立；監(jiān)測(cè)與處理技術(shù)相比國(guó)外仍有一定距離，同時(shí)在處理成本上也是一個(gè)不小的開(kāi)支。外污水處理進(jìn)展1.2.1美國(guó)美國(guó)一直是城市污水技術(shù)處理為先進(jìn)的。
