（長治石榴石）價格有優勢（長治金剛砂）
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
MPS的封裝是用銅鑄的方式跟底下的焊腳連在一起，銅鑄的整個阻抗比金線要小很多；在散熱方面，金線連接的IC要加很多散熱片，但是這種封裝每個引腳都可以當成散熱源，簡單講可以通過PCB的面積來散熱。這樣IC熱阻會比較小，同樣封裝可以做得小。封裝越小越便宜，成本可以降低。LED照明無非兩種：一種是直流輸入，一種是交流輸入。首先先講一下DC-DC方面。現在有些P：R燈用的不是純粹的直流，用的是電子變壓器。假設電子變壓器是一個高頻：C12V，甚至一些大功率的燈，比如3W、4W。
您認為可行否？是經過砂濾再到生化單元合理，還是在生化單元后經砂濾、活性炭處理合理，還是都不需要過濾？還有水解時間、接觸氧化時間取多少適合呢？現有處理站流程是：混凝沉淀+混凝氣浮+砂濾+活性炭吸附，處理能力5立方/小時。回答：該廢水特點來看，處理重點在TP；COD的降解生化去除率在6%左右。混凝沉淀請使用氫氧化鈣，保證TP在混凝階段很好的去除。氣浮也是需要的，保證后段壓力的降低設計進水COD8mg/L，我估計，實際也就3~4mg/L；可以把生化系統設計進去，如果生化系統運行正常，后段多加個砂濾，活性炭的話可以預留位置，是否需要，看看運行后的結果再定好了，我覺得不需要。
據從天津市市了解到，由天津市環境保護科學研究院研發，水體污染與治理科技重大專項支持的基于同位素指紋圖譜+CMB解析模型的復合污染源解析技術已通過課題技術驗收，這標志著我國在水污染源示蹤解析領域取得重大技術突破。據了解，污染源示蹤解析技術的作用是分析水體中污染來源，發現和定位廢(污)水偷排源現象，對于水環境管理工作尤為重要。常規的污染源解析技術缺點在于只能對肉眼可識別的污染源進行分析，無法發現水下暗排口的污染排放，定量計算精度較低，分析結果可靠性較差。
