inTEST 高低溫測(cè)試機(jī)ATS-545用于超低功率模擬芯片上測(cè)試

上海伯東高低溫測(cè)試機(jī)ATS-545在超低功率模擬芯片上的應(yīng)用

基于22nm、40nm、55nm成功開(kāi)發(fā)了NB-IoT/IoT模擬IP平臺(tái), 包含了全套nA級(jí)的超低功耗模擬IP, 包括50nA的超低功耗LDO, 80nA Bandgap, 零靜態(tài)功耗POR, 25uA的超低功耗DCDC, 0.8uW SAR-ADC, 0.5uW PLL及支持低功耗模式的多功能IO庫(kù). 在55nm、110nm、130nm、180nm等CMOS和Embedded-flash工藝制程上, 成功開(kāi)發(fā)了MCU模擬IP平臺(tái), 本文主要介紹上海伯東inTEST ATS-545在超低功率模擬芯片上的應(yīng)用.

上海伯東高低溫測(cè)試機(jī)ATS-545在超低功率模擬芯片上的應(yīng)用的原因:

目前的低功耗設(shè)計(jì)主要從芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)方面考慮. 隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展和芯片工作頻率的提高, 芯片的功耗迅速增加, 而功耗增加又將導(dǎo)致芯片發(fā)熱量的增大和可靠性的下降. 因此, 功耗已經(jīng)成為深亞微米集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要考慮因素. 為了使產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力, 需要在不同溫度環(huán)境下對(duì)模擬芯片進(jìn)行性能測(cè)試, 以確保能在綜合復(fù)雜的環(huán)境中正常使用, 客戶(hù)最終選擇了ATS-545高低溫沖擊機(jī)進(jìn)行測(cè)試.

超低功率模擬芯片測(cè)試方法：

具體做法如下. 

1.將芯片放置于已做好的工裝中；

2.將sensor一端連接熱流罩上對(duì)應(yīng)接口, 一端與芯片表面接觸；

3.將ATS-545熱流罩轉(zhuǎn)到工裝平臺(tái)并下壓固定；

4.啟動(dòng)ATS-545高低溫沖擊機(jī)加熱至需要測(cè)試的溫度點(diǎn)；

5.啟動(dòng)芯片測(cè)試設(shè)備對(duì)芯片在-55度及125度下進(jìn)行性能測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

ATS-545高低溫沖擊機(jī)在通信芯片方面的客戶(hù)案例：

成都銳成芯微電子, 通過(guò)伯東購(gòu)買(mǎi)ATS-545高低溫沖擊機(jī)

inTEST ThermoStream高低溫測(cè)試機(jī) ATS-545 功能特點(diǎn)：

與友廠對(duì)比, inTEST ThermoStream 獨(dú)有的專(zhuān)利自動(dòng)復(fù)疊式制冷系統(tǒng) (auto cascade refrigeration) 保證低溫, 內(nèi)置 AC 交流壓縮機(jī), 冷凍機(jī) Chiller 特殊設(shè)計(jì), 制冷劑不含氟利昂, 安全無(wú)毒, 不易燃, 有1.效保護(hù)環(huán)境; 專(zhuān)利 ESD 防靜電保護(hù)設(shè)計(jì)

2.旋鈕式控制面板, 支持測(cè)試數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

3.過(guò)熱溫度保護(hù): 出廠設(shè)置溫度 +230°C

4.加熱模式下, 冷凍機(jī)可切換成待機(jī)模式, 以減少電力消耗

5.干燥氣流持續(xù)吹掃測(cè)試表面, 防止水氣凝結(jié)

inTEST 高低溫測(cè)試方法：提供兩種檢測(cè)模式 Air Mode 和 DUT Mode

通過(guò)熱流罩或測(cè)試腔將被測(cè) IC 與周邊環(huán)境隔離, 然后對(duì) IC 循環(huán)噴射冷熱氣流, 使IC 溫度短時(shí)間發(fā)生急劇變化, 從而完成溫度循環(huán)和溫度沖擊的測(cè)試.

上海伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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