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采用真空鍍膜的方式在幾種基底上沉積薄膜, 這種薄膜的性能取決于基底的清潔度. 基底表面的污染物會影響薄膜和基底的附著力, 更會加快沉積后薄膜性能的退化, 比如導(dǎo)電膜電阻變大, 光學(xué)膜的光學(xué)性能變差.
即使通過小心的處理, 基底在鍍膜前也會因為暴露在大氣下而被吸附水汽和碳氫化合物污染. 這種暴露也會在基底表面產(chǎn)生氧化層. 要去除這種污染, 必須將基底置于真空環(huán)境下進行清洗, 而且在鍍膜前不能再接觸到大氣.
為了除去基底表面的污染物, 鍍膜的廠商一般采用離子源進行清洗, 離子束在清洗方面的選擇性要高得多, 因為高能離子可以定向到基底上, 這樣只會出去基底和周圍附近的污染物.
能夠獨立于環(huán)境因素調(diào)節(jié)離子能量也很重要, 可以去除實驗環(huán)境中基質(zhì)表面的水蒸氣和碳氫化合物等物理吸附污染物. 低能量離子非常有效, 能量小于100eV可以避免損傷襯底或明顯的濺射. 物理吸附污染物的去除量很小, 小于1ma-s / cm2.
另一方面, 更高的離子能量可以用來去除化學(xué)修飾層, 如氧化物. 較強的化學(xué)修飾層通常需要至少100 EV的離子能量, 所需的離子能量根據(jù)污染物的濺射速率和厚度來計算.
較低的工作壓力更有利于離子清洗. 工作壓力取決于所使用的真空泵, 通常在10-4 Torr范圍內(nèi), 導(dǎo)致分子的平均自由層路徑比輝光放電長數(shù)千倍. 這樣, 一旦污染物從表面被清除, 就可以用真空泵來清除. 減少了返回表面的可能性, 較低的工作壓力也可以在清洗后開始形成膜, 從而最大限度地減少了沉積前可能積累的新污染.
根據(jù)沉積過程和材料的不同, 離子輔助沉積可以進一步改善膜的性能.
伯東某鍍膜廠商客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設(shè)備對鍍膜沉積前預(yù)清洗.
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-30010A |
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配置 |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動或快接法蘭 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直徑 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
10-36” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
上海伯東是美國 考夫曼離子源在中國的總代理商.
上海伯東是德國 Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
