伯東 KRI 考夫曼離子源KDC用于離子束拋光工藝

離子束拋光工藝加工精度和表面質量高離子束加工是靠微觀力效應,被加工表面層不產生熱量, 不引起機械應力和損傷, 離子束拋光加工精度可達mm級.

因此離子束拋光加工已逐漸成為光學零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 而離子源是離子束拋光機的核心部件.

離子源是使中性原子或分子電離, 并從中引出離子束流的裝置. 它是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器、離子束拋光機等設備的不可缺少的部件.

在離子束拋光機中, 離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面.

上海伯東美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用于光學鍍膜離子束拋光機 ( IBF Optical coating ) 及晶體硅片離子束拋光機  ( IBF Clrystalline ) 工藝.考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源于離子拋光機內部的移動運行.

伯東KRI 考夫曼離子源用于離子束拋光工藝

KRI 離子源用于離子束拋光實際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).

KRI 離子源用于離子束拋光實際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )

KRI 離子源實際安裝案例一:  KDC 10 使用于光學鍍膜離子束拋光機


KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用于晶體硅片離子束拋光機


上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域.

上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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