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霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS

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產(chǎn)品價格: /人民幣 
最后更新: 2019-12-27 17:00:45
產(chǎn)品產(chǎn)地: 英國
發(fā)貨地: 本地至全國 (發(fā)貨期:當天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 241
詢價  試用會員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 伯東企業(yè)(上海)有限公司
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    產(chǎn)品詳細說明

    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS
    上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 ezHEMS 霍爾效應(yīng)測試儀為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創(chuàng)新的解決方案. ezHEMS 霍爾效應(yīng)測量獨特的設(shè)計使得用戶能夠以最高分辨率和精度測量 80K 到500K 之間的樣品, 所有的磁鐵移動和溫度變化都可以自動完成而不會改變組件.
    ezHEMS? 霍爾效應(yīng)測試儀軟件支持不同測量數(shù)據(jù)記錄和繪圖: I-V 曲線, 電阻, 電阻率, 薄層電阻, 磁阻, 載流子濃度, 霍爾遷移率, 霍爾系數(shù)作為溫度的函數(shù)

    霍爾效應(yīng)測試儀

    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 主要用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數(shù), 導(dǎo)電類型等重要參數(shù), 是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的必備工具.
    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 主要由恒電流源, 范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器, 常溫測量系統(tǒng), 低溫 ( 80K~常溫 ) 測量系統(tǒng), 高溫 ( 常溫~800K ) 測量系統(tǒng)及固定磁場強度輸入系統(tǒng)組成, 擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置, 測試速度快, 測量精度高, 重復(fù)性好.

     


    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 主要特點
    恒電流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六級電流范圍設(shè)置, 將可以接收的誤差降到最低; 范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲, 具有可靠的精度及重現(xiàn)性.
    具有常溫, 液氮低溫, 以及高溫測量系統(tǒng) ( 80 ~ 800K )
    恒定磁場( 0.6T )
    不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量
    測試速率快, 可同時測量得到體載流子濃度 ( Bulk carrier concentration ), 表面載流子濃度 ( Sheet carrier concentration ), 遷移率 ( Mobility ), 電阻率 ( Resistivity ), 霍爾系數(shù) ( Hall coefficient ), 磁致電阻 ( Magnetoresistance ), 電阻的縱橫比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等參數(shù).
    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 技術(shù)參數(shù)
    電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 )
    遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
    載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴 )
    輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
    最小霍爾電壓測量: 0.1 μV
    支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
    磁場強度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
    溫度范圍 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統(tǒng)的整個溫度范圍
    可選更高的范圍
    Pt-100 電阻溫度計, 750K 加熱器, PID 溫控器
    通過 USB 接口進行電腦控制
    樣品尺寸從 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 適用樣品厚度 < 2 mm
    樣品測量板: 彈簧樣品板
    ezHEMS 軟件控制磁鐵運動
    霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 應(yīng)用領(lǐng)域
    上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應(yīng)測試儀 ezHEMS 可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性表征, 精確測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數(shù)等重要參數(shù).
    測量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半導(dǎo)體薄膜
    材料導(dǎo)電類型判斷 (P 型和 N 型 )
    材料載流子濃度, 遷移率, 方塊電阻等參數(shù)測量
    材料摻雜雜質(zhì)激活能測量


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