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Noiseken(噪聲研究所)HBM-M
特征考查實際上給電子設備安裝半導體元件時,半導體元件所受到的抗靜電破壞能力的靜電試驗器。
半導體元件因受靜電可能發生內部配線,絕緣膜的熔斷,破壞等而導致產品特性裂化,誤動作的現象。
對于此靜電破壞試驗,只需利用1 臺弊司小型ESS-600X 更換探頭就可簡單實行人體帶電型,機器帶電型的試驗。還有,可用選件中的精密型支架可對超細密間距元件做半自動的試驗。
最適合用于進行LED,LCD, 光元件等電子部品的靜電破壞耐性試驗。
精密型支架
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對應標準
人體模型試驗 (HBM) | 機械模型試驗 (MM) |
AEC-Q100-002-Rev.D Jul.2003 | AEC-Q100-003-REV-E Jul.2003 |
ESDA ANSI/EOS/ESD-STM5.1-2001 | ESDA ANSI/ESD STM5.2-1999 |
IEC 61340-3-1Ed.1.0 2002 | IEC 61340-3-2 Ed.1.0-2002 |
IEC 60749-26 Ed.1.0 2003 | IEC 60749-27 Ed.1.0 2003 |
JEDEC JESD22-A114E Jan 2007 | JEDEC JESD22-A115A Oct.1997 |
JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 Test Method304 | JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 |
MIL-STD-883G Method 3015.7 Mar.1989 |