Noiseken(噪聲研究所）HBM-M

特征考查實際上給電子設備安裝半導體元件時，半導體元件所受到的抗靜電破壞能力的靜電試驗器。
半導體元件因受靜電可能發生內部配線，絕緣膜的熔斷，破壞等而導致產品特性裂化，誤動作的現象。
對于此靜電破壞試驗，只需利用1 臺弊司小型ESS-600X 更換探頭就可簡單實行人體帶電型，機器帶電型的試驗。還有，可用選件中的精密型支架可對超細密間距元件做半自動的試驗。
最適合用于進行LED,LCD, 光元件等電子部品的靜電破壞耐性試驗。
精密型支架

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• 可做最高輸出電壓±8KV 試驗（ESS-6008）
• 可做出留有余量的試驗
• 可對各種間距的受測元件進行靜電施加試驗
• 可搭配精密測臺，以半自動（Y 軸）的腳位移動而正確的對待
• 測物施加靜電
• 可做最低試驗電壓±10V 的試驗（ESS-6002）
• 對于低電壓驅動元件的評價可從10V 開始以1V 的步長予施加
• 可對應規格 

對應標準