現貨供應 三星1206貼片電容

電容器的選用方法  

一.選擇合適的型號  

根據電路要求，一般用于低頻耦合、旁路去耦等，電氣性能要求較低時，可以采用紙介電容器、電解電容器等。  

晶體管低頻放大器的耦合電容器，選用1～22μF的電解電容器。旁路電容器根據電路的工作頻率來選，如在低頻電路中，發射極旁路電容選用電解電容器，容量在10～220μF之間；在中頻電路中，可選用0.01~0.1μF的紙介、金屬化紙介、有機薄膜電容器等；在高頻電路中應選擇高頻瓷介質電容器；若要求在高溫下工作，則應選玻璃釉電容器等。  在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。因為在這些使用場合，對電容器性能要求不高，只要體積不大，容量夠用就可以了。  

對于可變電容器，應根據電容統調的級數，確定應采用單聯或多聯的可變電容器，然后根據容量的變化范圍、容量變化曲線、體積等要求確定相應品種的電容器。

二.合理確定電容器的容量和誤差  

電容器容量的數值，必須按規定的標稱值來進行選擇。

電容器的誤差等級有多種，在低頻耦合、去耦、電源濾波等電路中，電容器可以±5%、±10%、±20%等誤差等級，但在振蕩回路、延時電路、音調控制電路中，電容器的精度要稍高一些；在各種濾波器和各種網絡中，要求選用高精度的電容器。

第三：耐壓值的選擇  

為保證電容器的正常工作，被選用的電容器的耐值不僅要大于實際工作電壓，而且還要留有足夠的余地，一般選用耐壓值為實際工作電壓兩倍以上的電容器。  

第四：注意電容器的溫度系數，高頻特性等參數  

在振蕩電路中的振蕩元件、移相網絡元件、濾波器等，應選用溫度系數小的電容器，以確保其性能。

  貼片電容介紹：

  貼片電容名片式積層電容是一次性高溫燒結而成的也是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合而成。

  貼片電容內部結構簡介：

  貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質、內電極、端電極.其中陶瓷介質的主要作用是在電場作用下，極化介電儲能。當電場變化時極化率相應發生變化時，由于不同介質種類的主要極化類型不同，其對電場變化的響應速度和極化率也不相同。

  電極分為內電極與端電極。其中內電極位于貼片電容器內部，主要提供電極板正對面積，它與介質一般是交替疊放。

  貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質。

  今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負20%的容量誤差。

  例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動，Z檔則為8uf-18uf之間浮動。

   貼片電容簡介：

  全稱：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容、片容，英文縮寫：MLCC

   主要規格尺寸，按英制標準分為：02010402060308051206以及大規格的1210180818122220222530123035等。

  容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認為容量在1uF以上為大容量電容。

  額定電壓：從4V4KVDC當額定電壓在100V及以上時，即歸納為中高壓產品。

  片式電容的穩定性及容量精度與其采用的介質資料存在對應關系，主要分為三大類別。

   貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請提前預訂。

  貼片電容介質是以COG/NPO為I類介質的高頻電容器，其溫度系數為±30ppm/℃，電容量非常穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，主要應用于 高頻電子線路，如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

 以X7R為II類介質的中頻電容器，其溫度系數為±15，電容量相對穩定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產品。

 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內;圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

  以Y5V為III類介質的低頻電容器，其溫度系數為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產品。

   貼片電容介質強度表征的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛并出現場致電子發射,產生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應,進而導致突發擊穿電流擊穿介質,使其失效.除此之外,介質失效還有另一種模式,高壓負荷下產生的熱量會使介質材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續足夠長的時間,將會在介質最薄弱的部位上產生漏電流.這種模式與溫度密切相關,介質強度隨溫度提高而下降.