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1.首先以分析純試劑采用直接沉淀法制備氧化鎂，探索操作條件對氧化鎂絕緣性能的影響，如反應溫度、反應時間、氨溶液濃度、分散劑種類和分散劑添加量。對所得氧化鎂進行了XRD、粒度分布表征和體積電阻率的測定。研究結果表明，氧化鎂絕緣性能與其結晶度無關，與其粒度分布有關。粒度分布越窄且顆粒尺寸越小，絕緣性能越好。

2.為了獲得粒度分布窄的氧化鎂，在直接沉淀法實驗結果基礎上，探索采用均勻沉淀法制備氧化鎂，以改善的粒度分布和粒徑。探討了煅燒溫度和煅燒時間對氧化鎂絕緣性能的影響。研究結果表明，均勻沉淀法有效地減小了氧化鎂的粒度分布寬度。通過分析PL圖譜及體積電阻率的測量結果，認為氧化鎂的絕緣性能與氧化鎂晶體內部肖特基缺陷水平無關。http://www.meijt.com/