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| 通道類型 | N | |
| 最大連續漏極電流 | 72 A | |
| 最大漏源電壓 | 120 V | |
| 最大漏源電阻值 | 4.4 mΩ | |
| 最大柵閾值電壓 | 4V | |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | |
| 封裝類型 | TO-220 | |
| 安裝類型 | 通孔 | |
| 晶體管配置 | 單 | |
| 引腳數目 | 3 | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 225 W | |
| 每片芯片元件數目 | 1 | |
| 典型關斷延遲時間 | 120 ns | |
| 寬度 | 4.45mm | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.45 x 15.1mm | |
| 晶體管材料 | Si | |
| 典型接通延遲時間 | 64 ns | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 長度 | 10.16mm | |
| 系列 | TK | |
| 典型輸入電容值@Vds |
8100 pF @ 60 V
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