|
|
專業(yè)的8550三極管生產(chǎn)廠家,東莞市恒順?biāo)苣z電子有限公司,我公司生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)的三極管,歡迎來(lái)電咨詢,我們將竭誠(chéng)為你們服務(wù),8550三極管是很常用的電子元件,廣泛的運(yùn)用到各種產(chǎn)品當(dāng)中,訂購(gòu)優(yōu)質(zhì)的三極管就找東莞市恒順?biāo)苣z電子有限公司,我公司生產(chǎn)各種優(yōu)質(zhì)的三極管、貼片三極管、二極管、貼片二極管、整流橋、光耦、IC等各種優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,我司的銷售熱線:0769-85313558 18028222001 陳先生
8550三極管在電路中具有一定的電流放大的作用,
1、直流參數(shù)
(1)集電極一基極反向飽和電流Icbo,發(fā)射極開(kāi)路(Ie=0)時(shí),基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時(shí)的集電極反向電流,它只與溫度有關(guān),在一定溫度下是個(gè)常數(shù),所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,Icbo很小,小功率鍺管的Icbo約為1~10微安,大功率鍺管的Icbo可達(dá)數(shù)毫安,而硅管的Icbo則非常小,是毫微安級(jí)。
(2)集電極一發(fā)射極反向電流Iceo(穿透電流)基極開(kāi)路(Ib=0)時(shí),集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓Vce時(shí)的集電極電流。Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù),其值越小,性能越穩(wěn)定,小功率鍺管的Iceo比硅管大。
(3)發(fā)射極---基極反向電流Iebo集電極開(kāi)路時(shí),在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的電流,它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。
(4)直流電流放大系數(shù)β1(或hEF)這是指共發(fā)射接法,沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí),集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:β1=Ic/Ib
2、交流參數(shù)
(1)交流電流放大系數(shù)β(或hfe)這是指共發(fā)射極接法,集電極輸出電流的變化量△Ic與基極輸入電流的變化量△Ib之比,即:β=△Ic/△Ib一般晶體管的β大約在10-200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩(wěn)定。
(2)共基極交流放大系數(shù)α(或hfb)這是指共基接法時(shí),集電極輸出電流的變化是△Ic與發(fā)射極電流的變化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因?yàn)椤?/span>Ic<△Ie,故α<1。高頻三極管的α>0.90就可以使用α與β之間的關(guān)系:α=β/(1+β)β=α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止頻率fβ、fα當(dāng)β下降到低頻時(shí)0.707倍的頻率,就是共發(fā)射極的截止頻率fβ;當(dāng)α下降到低頻時(shí)的0.707倍的頻率,就是共基極的截止頻率fαofβ、fα是表明管子頻率特性的重要參數(shù),它們之間的關(guān)系為:fβ≈(1-α)fα
(4)特征頻率fT因?yàn)轭l率f上升時(shí),β就下降,當(dāng)β下降到1時(shí),對(duì)應(yīng)的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。
3、極限參數(shù)
(1)集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流Ic增加到某一數(shù)值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時(shí)的Ic值稱為ICM。所以當(dāng)Ic超過(guò)ICM時(shí),雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質(zhì)量。
(2)集電極----基極擊穿電壓BVCBO當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí),集電結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(3)發(fā)射極-----基極反向擊穿電壓BVEBO當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí),發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(4)集電極-----發(fā)射極擊穿電壓BVCEO當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,使用時(shí)如果Vce>BVceo,管子就會(huì)被擊穿。
(5)集電極最大允許耗散功率PCM集電流過(guò)Ic,溫度要升高,管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過(guò)允許值時(shí)的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實(shí)際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=Uce×Ic.使用時(shí)慶使Pc<PCM。PCM與散熱條件有關(guān),增加散熱片可提高PCM。
晶體三極管 - 特性曲線
晶體三極管
1、輸入特性其特點(diǎn)是:
1)當(dāng)Uce在0-2伏范圍內(nèi),曲線位置和形狀與Uce有關(guān),但當(dāng)Uce高于2伏后,曲線Uce基本無(wú)關(guān)通常輸入特性由兩條曲線(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。
2)當(dāng)Ube<UbeR時(shí),Ib≈O稱(0~UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube>UbeR時(shí),Ib隨Ube增加而增加,放大時(shí),三極管工作在較直線的區(qū)段。
3)三極管輸入電阻,定義為:rbe=(△Ube/△Ib)Q點(diǎn),其估算公式為:rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏)rb為三極管的基區(qū)電阻,對(duì)低頻小功率管,rb約為300歐。
2、輸出特性
輸出特性表示Ic隨Uce的變化關(guān)系(以Ib為參數(shù)),它分為三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)當(dāng)Ube<0時(shí),則Ib≈0,發(fā)射區(qū)沒(méi)有電子注入基區(qū),但由于分子的熱運(yùn)動(dòng),集電集仍有小量電流通過(guò),即Ic=Iceo稱為穿透電流,常溫時(shí)Iceo約為幾微安,鍺管約為幾十微安至幾百微安,它與集電極反向電流Icbo的關(guān)系是:Icbo=(1+β)Icbo常溫時(shí)硅管的Icbo小于1微安,鍺管的Icbo約為10微安,對(duì)于鍺管,溫度每升高12℃,Icbo數(shù)值增加一倍,而對(duì)于硅管溫度每升高8℃,Icbo數(shù)值增大一倍,雖然硅管的Icbo隨溫度變化更劇烈,但由于鍺管的Icbo值本身比硅管大,所以鍺管仍然受溫度影響較嚴(yán)重的管,放大區(qū),當(dāng)晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏而集電結(jié)于反偏工作時(shí),Ic隨Ib近似作線性變化,放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。飽和區(qū)當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏狀態(tài)時(shí),Ic基本上不隨Ib而變化,失去了放大功能。根據(jù)三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)偏置情況,可能判別其工作狀態(tài)。
截止區(qū)和飽和區(qū)是三極管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的區(qū)域,三極管和導(dǎo)通時(shí),工作點(diǎn)落在飽和區(qū),三極管截止時(shí),工作點(diǎn)落在截止區(qū)。
晶體三極管 - 產(chǎn)品檢測(cè)
晶體三極管
大功率晶體三極管的檢測(cè)
利用萬(wàn)用表檢測(cè)中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法,對(duì)檢測(cè)大功率三極管來(lái)說(shuō)基本上適用。但是,由于大功率三極管的工作電流比較大,因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大,其反向飽和電流也必然增大。所以,若像測(cè)量中、小功率三極管極間電阻那樣,使用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量,必然測(cè)得的電阻值很小,好像極間短路一樣,所以通常使用R×10或R×1擋檢測(cè)大功率三極管。