類別：分離式半導體產品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：20A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3720pF @ 10V
功率 - 最大：150W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：2-16C1B (TO-247 N)
包裝：管件
供應商設備封裝：TO-3P(N)
