電容廠家 電解電容封裝 2200UF 50V電解電容

電解電容電器在電源中最關緊的應用是在儲存能+羭縷、浪涌電壓盡力照顧、EMI制約和扼制電路等方面。針對不一樣的應用領域，這些個電媒介技術你我競爭或互為補給的關系。
容電器是成功實現(xiàn)電源的寬范圍電壓和電流組合的最關鍵的無源元件之一。盡管每種容電器都能貯存電能，但對于特別指定的應用來說，電媒介技術在容電器的挑選中起著意要的效用。
典型電源中的容電器斑紋電流為各個頻率上的斑紋電流的組合。斑紋電流的RMS（均方根）值表決了容電器的溫升。

認為合適而使用塑膜技術的X-級和Y-級容電器供給了最為價格低廉的制約辦法之一。制約容電器的阻抗隨著頻率的增加而減小，準許高頻過電容器。X容電器在線路之間對此電流供給“短路”，Y容電器則在線路與接地設施之間對此電流供給“短路”。依據(jù)所能承擔的浪涌電壓的峰值，對X和Y容電器還有更細的分類。例如：一個電容值高達1ΜF(xiàn)的X2容電器的定額峰值浪涌電壓為2.5KV，而電容值相近的X1容電器，其定額峰值浪涌電壓則為4KV。應依據(jù)負載斷電時期的峰值電壓來挑選合宜的干擾制約容電器的級別。
這些個容電器連署在電源的輸入端，以減緩由半導體所萌生的電磁或無線電干擾。因為直接與主輸入線銜接，這些個容電器易遭遭受毀傷性的過壓和瞬態(tài)電壓。因為這個，天底下各個地區(qū)都推出了不一樣的安全標準，涵蓋歐羅巴洲的EN132400，美國的UL1414和1283以及加拿大的CSAC22.2NO.0，1和8。
EMI/RFI制約
不可以僅依據(jù)電容值/電壓值來挑選容電器。在挑選浪涌電壓盡力照顧容電器時，還應思索問題所需的DV/DT值。耗散因數(shù)表決著容電器內里的功率耗散。因為這個，應挑選一個具備較低傷耗因數(shù)的容電器作為調換。
在定額電壓值高達2000VDC的條件下，典型的電容定額值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導體部件，如IG變態(tài)，電容值可高達2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內。
半導體部件的定額電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓盡力照顧容電器的挑選。因為這些個容電器承擔著很陡的DV/DT值，因為這個，對于這種應用而言，薄膜容電器是妥當之選。
因為背景溫度表決著負載條件下的容電器生存的年限，因為這個，制作商們均非常準確定義了斑紋電流負載、背景溫度與幾率生存的年限之間的關系。在實職條件下，利用斑紋電流負載和背景溫度來確認幾率生存的年限，而將揭曉的幾率生存的年限作為完全值。浪涌電壓盡力照顧開關頻率頎長的現(xiàn)代功率半導體部件易受潛伏的損害到性電壓尖峰電子脈沖的影響。跨接在功率半導體部件兩端的浪涌電壓盡力照顧容電器經(jīng)過借鑒電壓電子脈沖限止了峰值電壓，因此各占一半導體部件起到達盡力照顧效用，要得浪涌電壓盡力照顧容電器變成功率元件庫中的關緊一員。