供應德國infineon系列IGBT模塊。FZ400R12KE3.BSM150GB200DN2.FF100R12KS4.FF200R12KS4.FF300R12KS4.FF400R12KS4等系列規格./IGBT 模塊特點：是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，優點：具有雙極型器件飽和壓降低而容量大，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位、 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。 /此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，因此在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。/在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。報價以當日出庫為準，如需其它IGBT模塊產品請致電聯系。
