旋轉(zhuǎn)整流二級管 ZX16 800V-1600V

北京創(chuàng)源立晶科技有限責(zé)任公司至力于推廣中國自主研發(fā)的晶閘管、平板型IGBT、功率模塊、功率組件，旋轉(zhuǎn)整流組件等產(chǎn)品。同時積極引進國外先進技術(shù)，提高研發(fā)生產(chǎn)能力。由我公司引進技術(shù)并研發(fā)生產(chǎn)的發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件，具有一至性好，高可靠性等特點，產(chǎn)品大量銷往海外，并已成功應(yīng)用于國內(nèi)諸多汽輪發(fā)電機重大項目。
  公司擁有先進的半導(dǎo)體器件檢測設(shè)備，可控硅全動態(tài)試驗臺由美國GE公司及西安整流器研究所設(shè)計并完成裝配。目前我公司可以為用戶提供的3-110萬千瓦汽輪發(fā)電機勵磁裝置旋轉(zhuǎn)整流管和組件，為用戶提供方便、可靠的產(chǎn)品與服務(wù)。公司設(shè)計制造了多種型材風(fēng)冷、水冷、熱管自冷式一體化功率單元，同時按照客戶需求提供設(shè)計出圖，生產(chǎn)制造、檢測試驗、產(chǎn)品認(rèn)證等一站式服務(wù)。保證核心器件的一致性和可靠性，為用戶提供真正意義的功率半導(dǎo)體解決方案。
   北京創(chuàng)源立晶科技有限責(zé)任公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進的工作作風(fēng)，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于提高品牌知名度的發(fā)展目標(biāo)，建成國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造基地。公司未來將繼續(xù)在高電壓大電流、系統(tǒng)集成、技術(shù)領(lǐng)域?qū)で蟾笸黄?公司全體員工將繼續(xù)以嚴(yán)謹(jǐn)熱情的態(tài)度為己任，同時熱誠邀請廣大用戶及同行參觀與交流，我們期待與您真誠的合作。

  目前，本公司的主要產(chǎn)品是10-1350MW汽輪發(fā)電機用無刷勵磁整流組件系列。
 300MW-1350MW汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件借鑒了西屋公司技術(shù)與上海汽輪發(fā)電機有限公司聯(lián)合研制的，技術(shù)參數(shù)指標(biāo)達到或超過了原進口整流組件，我公司的旋轉(zhuǎn)整流組件已經(jīng)使用在核電和多臺百萬千瓦級發(fā)電機。
無刷勵磁技術(shù)廣泛應(yīng)用于發(fā)電機和電動機，特別是大型發(fā)電機。由于整流組件與機組的勵磁機轉(zhuǎn)子固定一體，同步旋轉(zhuǎn)，省去整流子、滑環(huán)和碳刷，所以具有有刷勵磁無法比擬的優(yōu)越性。
1不需要對滑環(huán)和碳刷的維護，可靠性高；
2沒有碳粉和銅末引起的電機線圈的污染，絕緣壽命長；
3不產(chǎn)生磨擦火花，適于在條件惡劣的環(huán)境中運行。
旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及導(dǎo)電件、絕緣件、緊固件等主要元器件和零部件組成。它具有體積小、功能強、技術(shù)含量高等優(yōu)勢，是一種集熱學(xué)、力學(xué)和電學(xué)于一體的功能組件。
基于旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件結(jié)構(gòu)特殊和使用環(huán)境苛刻，本公司建立了一套完整的由中廣核和西門子公司認(rèn)可的質(zhì)量管理體系。從材料選擇、元器件篩選、外購件檢驗到加工工藝、安裝工藝及檢測都有嚴(yán)格的管理和檢驗。從而保證了本公司產(chǎn)品完全滿足西門子公司的技術(shù)要求，長期而可靠地運行。

3萬千瓦汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件

產(chǎn)品名稱：30MW汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件
正向額定電流：400安；
正向峰值壓降：1.20-1.25伏；
反向非重復(fù)峰值電壓：2000伏；
反向重復(fù)峰值電壓：2200伏；
連續(xù)額定最高結(jié)溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本產(chǎn)品為以生活垃圾或余熱為能源的2—3萬千瓦汽輪發(fā)電機組而專門研制生產(chǎn)的旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件。
產(chǎn)品由整流器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導(dǎo)電導(dǎo)熱件和保護電路組成。它具有體積小、容量大、重量輕、可靠性高、安裝組合方便等優(yōu)點。特別適合于垃圾電廠和石油、化工等利用余熱發(fā)電的場合。

5-15萬千瓦空冷汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件
5—15萬千瓦汽輪發(fā)電機組技術(shù)參數(shù)如下：
產(chǎn)品名稱：5—15MW汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件
正向額定電流： 400安；
正向峰值壓降：1.20-1.25伏；
反向非重復(fù)峰值電壓：2000伏；
反向重復(fù)峰值電壓：2200伏；
連續(xù)額定最高結(jié)溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本產(chǎn)品為5萬—15萬千瓦空冷汽輪發(fā)電機組件無刷勵磁專用。
該產(chǎn)品是依托西門子西屋公司的空冷汽輪發(fā)電機組無刷勵磁技術(shù)與上海汽輪發(fā)電機有限公司聯(lián)合開發(fā)成功生產(chǎn)的，主要應(yīng)用于5—15萬千瓦空冷汽輪發(fā)電機組的無刷勵磁系統(tǒng)。本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)科學(xué)合理，體積小，重量輕，安裝方便，可靠性高，整流元件正向特性一致性好，每個單元構(gòu)成一個獨立的整流橋臂，可根據(jù)需要靈活組成所需系統(tǒng)。可長期在內(nèi)徑為755.64mm的旋轉(zhuǎn)整流盤以3000轉(zhuǎn)/分鐘條件下長期、安全、可靠的工作。該組件所用整流元件為美國進口元件，與60萬千瓦、30萬千瓦汽輪發(fā)電機組用旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件所采用的元件相同。亦專門與該組件配套使用的旋轉(zhuǎn)熔斷器。

30萬千汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件

產(chǎn)品名稱：300MW汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件
正向額定電流： 400安
正向峰值壓降：小于  1.20-1.25伏（±0.025伏）；
反向非重復(fù)峰值電壓：2000伏；
反向重復(fù)峰值電壓：2200伏；
連續(xù)額定最高結(jié)溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
最高結(jié)溫：175℃；
重量：3316克±3克（3316克左右）
電容器：0.3uF±5%  4000V  ZXC
電容器熔斷器：15A   1000V   AC
組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導(dǎo)電導(dǎo)熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉(zhuǎn)整流盤上3000轉(zhuǎn)/分鐘（或超速3300轉(zhuǎn)/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。目前，本產(chǎn)品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產(chǎn)零部件。產(chǎn)品外觀見照片。

60萬千瓦汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件

產(chǎn)品名稱：100MW汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件
該組件主要技術(shù)參數(shù)如下：
額定電流：400安；
額定電壓：2000伏；
正向壓降：1.20±0.025伏；
結(jié)溫：175℃
離心加速度耐量：6000g；    
切向加速度耐量：±500g；
本產(chǎn)品為60萬千瓦汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁專用產(chǎn)品，用于國產(chǎn)60萬千瓦汽輪發(fā)電機的勵磁機。該組件的開發(fā)生產(chǎn)是利用引進美國西屋公司技術(shù)與上海汽輪發(fā)電機有限公司聯(lián)合研制成功的。
組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導(dǎo)電電熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉(zhuǎn)整流盤上3000轉(zhuǎn)/分鐘（或超速3300轉(zhuǎn)/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。
目前，本產(chǎn)品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產(chǎn)零部件。產(chǎn)品外觀見照片

100萬千瓦汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件

本產(chǎn)品為100萬千瓦汽輪發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁專用產(chǎn)品，用于國產(chǎn)100萬千瓦汽輪發(fā)電機的勵磁機。該組件的開發(fā)生產(chǎn)是利用引進美國西屋公司技術(shù)與上海汽輪發(fā)電機有限公司聯(lián)合研制成功的。2006年到2008年我公司已經(jīng)為上海汽輪發(fā)電機有限公司配套16臺100萬千瓦勵磁機整流組件（每臺60只整流組件），其中10臺已經(jīng)并網(wǎng)發(fā)電，至今都在安全正常運行。進口組件相比，無論從外觀還是熱、電、機等特性上，均優(yōu)于進口組件。本產(chǎn)品為進口組件的完全替代產(chǎn)品，實現(xiàn)了國產(chǎn)大型發(fā)電機用旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件的國產(chǎn)化,組件由整流器、散熱器及緊固件、絕緣件、導(dǎo)電電熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉(zhuǎn)整流盤上3000轉(zhuǎn)/分鐘（或超速3600轉(zhuǎn)/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。
目前，本產(chǎn)品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產(chǎn)零部件。產(chǎn)品外觀見照片.

TZXR型、ZL型防爆同步電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件

正向額定電流：200—400安；
正向峰值壓降：1.20-1.38伏；
正向非重復(fù)峰值電壓：3200伏；
正向重復(fù)峰值電壓：3000伏；；
反向非重復(fù)峰值電壓：3200伏；
反向重復(fù)峰值電壓：3000伏；
門極觸發(fā)電流：50—100毫安；
門極觸發(fā)電壓：≤3伏；
離心加速度耐量：400g
切向加速度耐量：±200g
該產(chǎn)品是應(yīng)用于WLK—03B型防爆同步電機旋轉(zhuǎn)整流組件。
組件由整流器、晶閘管、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導(dǎo)電導(dǎo)熱件和觸發(fā)保護電路組成。
它具有防爆、可靠性高、安裝組合方便、失步自整同步等優(yōu)點。特別是防爆水平達到國家防爆的要求。特別適合于周圍有可燃性氣體的危險環(huán)境。現(xiàn)已應(yīng)用于石油、化工等要求防爆的場合。

旋轉(zhuǎn)勵磁整流元件產(chǎn)品介紹

1、國標(biāo)旋轉(zhuǎn)整流管命名
ZX-500-Δ-ΔΔ：ZX-該項字母表示整流特性；500-該項數(shù)字表示IF(AV)；Δ該項表示極性，R表示負(fù)極性(底座為陽極),P：表示正極性(底座為陰極）；ΔΔ該項數(shù)字的100倍表示VRRM.
注：國外表示極性符號還有：R和S組合；U和ZX組合，其中R、U表示負(fù)極性（底座為陽極），S、ZX表示正極性（底座為陰極）。以上按國際通用標(biāo)準(zhǔn)命名。
2、通用旋轉(zhuǎn)整流管參數(shù)  
特點：可在較大離心力作用下工作。
應(yīng)用： 使用于同步發(fā)電機和電動機旋轉(zhuǎn)勵磁裝置。
型號: ZX16、ZX25、ZX40、ZX70、ZX100、ZX200、ZX200、ZX300、ZX300、ZX400、ZX400、ZX500、ZX500、ZX800、ZX800、ZX860
外形尺寸請對照產(chǎn)品圖紙。
型號   額定電流 額定電壓 
ZX16  16A   800V-1600V
ZX25  25A   800V-1600V
ZX40  40A   800V-1600V
ZX70  70A   800V-1600V
ZX100  100A  800V-1600V
ZX200  200A  800V-1600V
ZX200  200A  1800V-3000V
ZX300  300A  800V-1600V
ZX300  300A  1800V-3000V
ZX400  400A  800V-1600V
ZX400  400A  1800V-3000V
ZX500  500A  800V-1600V
ZX500  500A  1800V-3000V
ZX800  800A  800V-1600V
ZX800  800A  1800V-3000V
ZX860  860A  1800V-2700V

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF800/1700PcS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=1700（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=4440（W）
工作結(jié)溫 Tj=－20~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT CGD1100/1700PcS
產(chǎn)品特性：
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值(25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VCES=1700(V)
柵極-發(fā)射極電壓 VGES=±20(V)
集電極電流 IC＝1100(A)ICP=2200(A)
集電極耗散功率 PC=6216(W)
工作結(jié)溫 Tj=－20~125℃
存儲溫度  Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC=125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF160/4500PFS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=160（A）ICP=320（A）
集電極耗散功率 PC=1270（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±20（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=30（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=2.9(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=6.9μs
關(guān)斷時間 Toff=4.8μs
二極管正向壓降 VF=2.8 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF340/4500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=340（A）ICP=680（A）
集電極耗散功率 PC=2700（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=6.9μs
關(guān)斷時間 Toff=4.8μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=3.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF350/3300PFS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=350（A）ICP=700（A）
集電極耗散功率 PC=4500（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=6.5(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=1.5μs
關(guān)斷時間 Toff=4.5μs
二極管正向壓降 VF= 3.5V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF360/2500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=360（A）ICP=720（A）
集電極耗散功率 PC=1800（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=10（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=2.4(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.0μs
關(guān)斷時間 Toff=8.8μs
二極管正向壓降 VF=2.35 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF500/2500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=500（A）ICP=1000（A）
集電極耗散功率 PC=2600（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±8（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=15（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=10μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF510/4500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=510（A）ICP=1020（A）
集電極耗散功率 PC=4100（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±10（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=35（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=4.0(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=7.1μs
關(guān)斷時間 Toff=5.0μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=3.8 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF600/3300PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集電極耗散功率 PC=7400（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=4.5(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=1.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3.9μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF600/4500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集電極耗散功率 PC=4800（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=4.1(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=5.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3.0μs
二極管正向壓降 VF=4.2 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF800/2500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=4400（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF=3.2 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF800/4500PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=6400（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=50（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3.0μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1000/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=4800（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.2μs
關(guān)斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF= 3.2V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1000/3300PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=12250（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=6.5(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關(guān)斷時間 Toff=4.5μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1000/4500PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=7700（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=50（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=5.5μs
關(guān)斷時間 Toff=5.5μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=2.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1200/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集電極耗散功率 PC=5900（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±20（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=30（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.3(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF=2.8 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1200/3300PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集電極耗散功率 PC=14500（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關(guān)斷時間 Toff=3μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產(chǎn)品名稱：平板型IGBT　CGF1500/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯(lián)快速恢復(fù)二極管
● 增強型IGBT
產(chǎn)品參數(shù)：
最大額定值（25℃）
集電極-發(fā)射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發(fā)射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1500（A）ICP=3000（A）
集電極耗散功率 PC=7800（W）
工作結(jié)溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導(dǎo)致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結(jié)殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±25（μA）
集電極-發(fā)射極截止電流 ICES=40（mA）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關(guān)斷時間 Toff=5.8μs
二極管正向壓降 VF=2.9 V
二極管反向恢復(fù)時間 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結(jié)構(gòu)的特點，可以較容易地用于串聯(lián)裝置中，而且與傳統(tǒng)的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅(qū)動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。