HY5DU121622DTP-D43,512Mb SDRAM存儲器

特點
•VDD和VDDQ = 2.3V最小～最大2.7V（典型值2.5V運作+ / - 0.2V為DDR266，333）
•VDD和VDDQ = 2.4V最小～最大2.7V（典型值2.6V運作+0.1 / - 0.2V為DDR400，
400Mbps/pin產(chǎn)品和500Mbps/pin產(chǎn)品）
•所有輸入和輸出與SSTL_2兼容接口
•全差分時鐘輸入（CK，/ CK）操作
•雙數(shù)據(jù)速率接口
•源同步 - 數(shù)據(jù)交易對齊雙向數(shù)據(jù)選通（DQS）
•x16設(shè)備每份X8 2 bytewide數(shù)據(jù)選通信（UDQS，LDQS）的I / O
•在DQS數(shù)據(jù)輸出邊讀（邊DQ）數(shù)據(jù)輸入關(guān)于DQS中心時寫（居中DQ）
•在芯片的DLL對齊DQ和與CK過渡過渡DQS
•糖尿病掩膜寫數(shù)據(jù)輸入在數(shù)據(jù)選通脈沖的上升沿和下降沿
•所有的地址和控制輸入除了數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)選通和鎖存上升沿數(shù)據(jù)口罩
在時鐘的
•可編程CAS延時2/2.5（DDR266，333）和3/4（DDR400，400Mbps/pin產(chǎn)品和500Mbps/pin產(chǎn)品）支持
•內(nèi)部四組業(yè)務(wù)單脈沖/ RAS
•自動刷新和自刷新支持
•tRAS的鎖定支持功能
•8192刷新周期
•60球FBGA封裝類型
•無鉛（* RoHS標準）