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貼片三極管_8050貼片三極管_廠家直銷8050貼片三極管

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產品價格: 0.04/人民幣 
最后更新: 2014-04-18 12:26:19
產品產地: 東莞
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    產品詳細說明

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    三極管性能的簡易測量 

      (1) 用萬用表電阻檔測ICEO和β 

      基極開路,萬用表黑表筆接NPN管的集電極c、紅表筆接發射極e(PNP管相反),此時ce間電阻值大則表明ICEO小,電阻值小則表明ICEO大。

      用手指代替基極電阻Rb,用上法測ce間電阻,若阻值比基極開路時小得多則表明 β值大。 

      (2) 用萬用表hFE檔測β

      有的萬用表有hFE檔,按表上規定的極型插入三極管即可測得電流放大系數β,若β很小或為零,表明三極管己損壞,可用電阻檔分別測兩個PN結,確認是否有擊穿或斷路。

      4.半導體三極管的選用 

      選用晶體管一要符合設備及電路的要求,二要符合節約的原則。根據用途的不同,一般應考慮以下幾個因素:工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大系數、反向擊穿電壓、穩定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關系,在選管時應抓住主要矛盾,兼顧次要因素。

      低頻管的特征頻率fT一般在2.5MHz以下,而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時應使fT為工作頻率的310倍。原則上講,高頻管可以代換低頻管,但是高頻管的功率一般都比較小,動態范圍窄,在代換時應注意功率條件。

      一般希望β選大一些,但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振蕩,何況一般β高的管子工作多不穩定,受溫度影響大。通常β多選40100之間,但低噪聲高β值的管子(18159011~9015),β值達數百時溫度穩定性仍較好。另外,對整個電路來說還應該從各級的配合來選擇β。例如前級用β高的,后級就可以用β較低的管子;反之,前級用β較低的,后級就可以用β較高的管子。  

      集電極-發射極反向擊穿電壓UCEO應選得大于電源電壓。穿透電流越小,對溫度的穩定性越好。普通硅管的穩定性比鍺管好得多,但普通硅管的飽和壓降較鍺管為大,在某些電路中會影響電路的性能,應根據電路的具體情況選用,選用晶體管的耗散功率時應根據不同電路的要求留有一定的余量。

      對高頻放大、中頻放大、振蕩器等電路用的晶體管,應選用特征頻率fT高、極間電容較小的晶體管,以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩定性。

    光敏三極管在原理上類似于晶體管,只是它的集電結為光敏二極管結構。它的等效電路見圖T313。由于基極電流可由光敏二極管提供,故一般沒有基極外引線(有基極外引線的產品便于調整靜態工作點)

    如在光敏三極管集電極c和發射極e之間加電壓,使集電結反偏,則在無光照時,c間只有漏電流ICEO,稱為暗電流,大小約為0.3 μA。有光照時將產生光電流IB,同時IB被“放大”形成集電極電流IC,大小在幾百微安到幾毫安之間。

      光敏三極管的輸出特性和晶體管類似,只是用入射光的照度來代替晶體管輸出特性曲線中的IB。光敏三極管制成達林頓形式時,可獲得很大的輸出電流而能直接驅動某些繼電器。

    光敏三極管的缺點是響應速度(~ 10μs)比光敏二極管(幾百毫微秒)慢,轉換線性差,在低照度或高照度時,光電流放大系數  值變小。 

      使用光敏三極管時,除了管子實際運行時的電參數不能超限外,還應考慮入射光的強度是否恰當,其光譜范圍是否合適。過強的入射光將使管芯的溫度上升,影響工作的穩定性,不合光譜的入射光,將得不到所希望的光電流。例如:硅光敏三極管的光譜響應范圍為0.4 ~ 1.1 μm波長的光波,若用熒光燈作光源,結果就很不理想。 

      另外,在實際選用光敏三極管時,應注意按參數要求選擇管型。如要求靈敏度高,可選用達林頓型光敏三極管;如要求響應時間快,對溫度敏感性小,就不選用光敏三極管而選用光敏二極管。探測暗光一定要選擇暗電流小的管子,同時可考慮有基極引出線的光敏三極管,通過偏置取得合適的工作點,提高光電流的放大系數。例如,探測10-3勒克斯的弱光,光敏三極管的暗電流必須小于0.1 nA

    晶體三極管(以下簡稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPNPNP兩種結構形式,但使用最多的是硅NPNPNP兩種三極管,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。


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