銷售IPU60R3K4CE和IPD60R3K4CE同系列MOS管

【產品信息】

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：2.6A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：93pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：29W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.4 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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