HYG017N10NS1TA電子元器件華羿微封裝TOLL批次22

華羿微電子股份有限公司（以下簡稱“公司”）成立于2017年6月28日，注冊資金4.15億元，是華天電子集團旗下專業從事半導體功率器件研發設計、封測和銷售的高新技術企業。公司位于西安經開區尚稷路8928號，占地面積200.8畝，員工2600余人。
公司通過自主創新、技術積累和市場拓展，現形成了以領先晶圓研發設計和一流封測工藝為核心競爭力的業務體系。自研產品以20V—150V的中低壓MOSFET為主，分為抗沖擊能力突出的Trench（溝槽型）MOSFET和具備高頻、高動態特性的SGT MOSFET（低屏蔽柵溝槽型）兩大系列，已量產的產品達到400余種，廣泛應用于電動車、汽車電子、5G基站、電動工具、儲能、消費電子等領域，特別是在電機驅動、電池儲能領域擁有較高的市場占有率;封測產品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等11大系列，共計約60余種封裝外形，產品覆蓋各功率段的二極管、三極管、MOSFET、超結MOSFET、IGBT等分立器件和模塊。

SGT和Trench MOS差異：

Trench工藝：內阻較大，動態參數Ciss/Qgd較差，且二者呈現負相關特性。若想獲得低內阻的產品，需增大芯片面積或減薄芯片厚度，隨之會導致Ciss/Qgd急劇增大，同時增大產品成本。

SGT工藝：相同芯片面積下，對比Trench ?MOS有較小的導通內阻與動態參數Ciss/Qgd。故在同一8寸/6寸晶圓下， SGT有著較高產能，隨之成本較低。但由于目前受生產工藝等多方面因素制約，其價格優勢不太明顯。 此外，相同或近似電壓、內阻規格產品下， Trench MOS抗沖擊性能會遠優于SGT ?MOS，具體體現為SOA區域較大。故在存在電流、電壓沖擊的應用中，若不同時要求內阻及動態參數，可優先選擇Trench ?MOS。
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打線Cu-Clip 對于MOS性能影響：

得益于更高的源極鍵合面積和鍵合線數量，產品具有更好的電流均勻性，在相同的溫升下，TO-263-6L具有更好的溫度均勻性和更低的熱點效應。

若如TO-263-6L的模式，將源極鍵合打線無窮多，最終演化為芯片源極S極表面鋁線/銅線替換為銅片，直接壓焊精密貼合于芯片，獲得更小的封裝接觸電阻及電流密度，使得MOS具有更小的導通內阻，更大的抗沖擊性能及溫度均勻性。

TOLL是一種高效節省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應用。它符合現有的JEDEC封裝外形，比Amkor目前提供的D2PAK (TO263)封裝小30，薄50。TOLL封裝引線設計有潤濕性側翼，使其非常適合汽車市場。TOLL一直是整合元件制造商在汽車電子應用中的首選技術。

低內阻：Ron 大電流：ID>300A 高抗沖擊：IDM、SOA 低封裝寄生效應：封裝電容、電感 更小的PCB占據，更高能量密度

應用領域： ? ?儲能電源、汽車電子、大功率無人機、電動工具

TOLL產品特點：小管腳, 低剖面 超大通流能力 超小的寄生電感大的焊接面積

高效率和低系統成本 更少的并聯數量和冷卻需求 高功率密度 優秀的EMI性能 高可靠性

HYG017N10NS1TA主要針對BMS、儲能等市場，針對保量市場進行價格PK，兩顆料主要與NCEP020N10/PWD015N10等型號參數類似，綜合性能測試反饋比較好。 HYG016N10NS1TA主要針對高端客戶市場進行推薦，綜合成本會稍高； 實測數據Typ值分別為1.3和1.35mΩ
?王 宇??Betson
?深圳市萬國高科電子有限公司
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