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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 品名 | 碳化硅晶片 | ||
| 晶型 | 4H | ||
| 厚度 | 可定制 | ||
| 表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 尺寸 | 4、6、8英寸 | ||
| 數(shù)量 | 1 | ||
| 售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 用途 | 半導(dǎo)體領(lǐng)域 | ||
| 等級(jí) | 工業(yè)級(jí)、研究級(jí)、測(cè)試級(jí) | ||
| 型號(hào) | 半絕緣型 | ||
可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級(jí)的半絕緣型碳化硅單晶材料。以下列舉6英寸半絕緣型碳化硅襯底規(guī)格參數(shù)僅供參考：
1. 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格
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2. 碳化硅半導(dǎo)體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學(xué)和電化學(xué)性能，具體參數(shù)如下表：
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3. 半絕緣SiC單晶應(yīng)用
半絕緣碳化硅晶片主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波射頻器件，用于高溫高頻環(huán)境，5G通信、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。
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