原子層沉積（Atomic layer deposition）是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

應用領域：

原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度，成份和結構），優異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括：

1）?晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）

2）?微電子機械系統（MEMS）

3）?光電子材料和器件

4）?集成電路互連線擴散阻擋層

5）?平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED）

6）?互連線勢壘層

7）?互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）

8）?DRAM、MRAM介電層

9）?嵌入式電容

10）?電磁記錄磁頭

11）?各類薄膜 lt;100nm）

技術參數：

基片尺寸：4英寸、6英寸；

加熱溫度：25℃~350℃；

溫度均勻性：±1℃；

前體溫度范圍：從室溫至150℃，±2℃，可選擇加熱套；

前驅體數：一次同時可處理多達?5?個?ALD?前體源；

PLC?控制系統：7英寸16?位彩色觸摸屏HMI控制；

模擬壓力控制器：用于快速壓力檢測和脈沖監測；

樣品上載：將樣品夾具從邊上拉出即可；

壓力控制裝置：壓力控制范圍從0.1~1.5Torr；

兩個氧化劑/還原劑源，如水，氧氣或氨氣；

在樣品上沒有大氣污染物，因為在沉積區的附近或上游處無?Elestamor O?型圈出現；

氧化鋁催化劑處理能力：6-10?次/分鐘或高達?1.2?納米/?分鐘（同類zui佳）；

高縱橫比沉積，具有良好的共形性

曝光控制，用于在?3D?結構上實現所需的共形性；

預置有經驗證過的?3D?和?2D?沉積的優化配方；

簡單便捷的系統維護及安全聯鎖；

目前市面上占地zui小，可兼容各類潔凈室要求的系統；

可以為非標準樣品而訂制的夾具，如?SEM / TEM?短截線；

原子層沉積ALD的應用包括：

1) High-K介電材料?(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；

2)導電門電極?(Ir, Pt, Ru, TiN)；

3)金屬互聯結構?(Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；

4)催化材料?(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；

5)納米結構?(All ALD Material)；

6)生物醫學涂層?(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；

7) ALD金屬?(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；

8)壓電層?(ZnO, AlN, ZnS)；

9)透明電學導體?(ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻擋層?(ZnO, TiO2);

11) OLED鈍化層?(Al2O3);

12)光子晶體?(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射濾光片?(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；

14)電致發光器件?(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等?(Al2O3, ZrO2);

16)光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等?(AlTiO, SnO2, ZnO);

17)傳感器?(SnO2, Ta2O5);

18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層?(Al2O3, ZrO2, WS2)；

目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ?

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2,

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ?

5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ?

6）復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ?

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS,

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