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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| IXFN180N25T 電子元器件 IXYS/艾賽斯 二極管 可控硅 功率模塊 型號 | IXFN180N25T | ||
| 系列 | IXFN180N25 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號 | 23 | ||
| 數(shù)量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數(shù)量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 250V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 168A | ||
| RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻 | 12.9mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 10V | ||
| Vgsth-柵源極閾值電壓 | 3V | ||
| Qg-柵極電荷 | 364nC | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 900W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 12.22mm | ||
| 長度 | 38.23mm | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 寬度 | 25.42mm | ||
| 正向跨導(dǎo)-最小值 | 90S | ||
| 下降時間 | 20ns | ||
| 上升時間 | 52ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時間 | 88ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 35ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 品牌 | IXYS/艾賽斯 | ||
