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| 產品參數 | |||
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| IXFN36N60 場效應管 IXYS/艾賽斯 整流二極管 可控硅 晶閘管模塊 型號 | IXFN36N60 | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 600V | ||
| Id-連續漏極電流 | 36A | ||
| RdsOn-漏源導通電阻 | 180mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 20V | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 520W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 長度 | 38.23mm | ||
| 系列 | HiPerFET | ||
| 寬度 | 25.42mm | ||
| 正向跨導-最小值 | 36S | ||
| 下降時間 | 60ns | ||
| 上升時間 | 45ns | ||
| 典型關閉延遲時間 | 100ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 30ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 品牌 | IXYS/艾賽斯 | ||
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