砷化鎵（GaAs）是一種由鎵和砷元素構成的重要的直接帶隙半導體材料，屬于III-V族化合物半導體，閃鋅礦晶格結構，晶格常數(shù)為5.6419A，熔點為1237°C，帶隙為1.4eV。砷化鎵半導體材料通常用于外延生長其他III-V半導體材料，包括砷化銦鎵（InGaAs），砷化鋁鎵（AlGaAs）等。可提供砷化鎵單晶及襯底片，砷化鎵襯底晶片參數(shù)如下：

1. 砷化鎵襯底規(guī)格參數(shù)

2. 砷化鎵晶片用途

砷化鎵襯底可用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路，紅外發(fā)光二極管（LED），激光二極管（LD），太陽能電池和光學窗口等設備。
此外，砷化鎵可以制成半絕緣高電阻材料，可用于制造紅外探測器、伽馬光子探測器等。由于其電子遷移率是硅的5到6倍，因此半絕緣砷化鎵晶圓在微波器件和高速數(shù)字電路的制造中得到了重要應用。砷化鎵半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能、低噪聲、抗輻射能力強等優(yōu)點，使砷化鎵襯底晶片市場需求不斷擴大。

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