低電容瞬態電壓抑制器二極管陣列

DFN1006-2L小型封裝的雙向ESD保護芯片（12V TVS管）DC1221P1L，結電容僅為15pF

DC1221P1L特性：

通過IEC61000-4-2（ ESD）：±30 kV--空氣? ±30kV--接觸

通過IEC61000-4-5（Lightning）：?5A(8/20uS)

在額定電壓下，漏電流小于0.2uA

低鉗位電壓VC小于16V（1A 8/20uS)

無鉛，符合歐盟RoHS 2.0標準

綠色環保塑封，符合IEC61249標準?

外殼：DFN1006-2L封裝端子：可焊性均符合MIL-STD-750標準（方法2026）

?瞬態電壓抑制器二極管可防止過電壓損壞敏感電子元件。?由于其緊湊型封裝，??瞬態電壓抑制器二極管特別適用于如下應用：手機、LCD、USB 2.0/OTG、MMC?接口、SD?卡接口、MDDI?端口、SIM?端口、鍵盤和千兆位以太網。

RCLAMP0521P???
DFN1006 單路單向超低電容ESD??
RCLAMP0521P? 是一個功率100W,5.0V低電容0.5pF單路雙向二極管ESD保護。
??? 封裝：DFN1006/SLP1006P2/0402 5K/盤
????
??? 特點：
??? 功率100W
??? 工作電壓:5.0 V
??? 單路雙向保護；
??? 低電容(高速接口；
??? 工作電壓：5V；
??? 低漏電流；1μA
????
??? 主要應用：
??? 高速線:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
??? 串行和并行端口
??? 筆記本、臺式機、服務器
??? 投影電視
??? 手機及配件
??? 便攜式儀器