| 產(chǎn)品參數(shù) |
| 品牌 | Mycro |
| 是否支持加工定制 | 是 |
| 是否進(jìn)口 | 否 |
| 電源 | 220V |
| 真空度 | 10^-5pa最高真空 |
| 樣品固定方式 | 真空導(dǎo)熱硅脂/彈簧壓片 |
| 制冷方式 | 液氮/壓縮機(jī) |
| 溫控精度 | ±0.1度 |
| 溫控穩(wěn)定性 | ±0.1度 |
| 可售賣地 | 全國 |
| 材質(zhì) | 航空鋁 | |
產(chǎn)品概要
DCH系列高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在極端環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備。可以實(shí)現(xiàn)器件及材料表征的IV/CV特性測(cè)試,射頻測(cè)試,光電測(cè)試等。通過液氮或者壓縮機(jī)制冷,可以在防輻射屏內(nèi)營造一個(gè)穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境。在特殊材料,半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運(yùn)用。極低溫測(cè)試:因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí),空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上,會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測(cè)試:當(dāng)晶圓加熱至300°℃,400°C.500”C甚至更高溫度時(shí),氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯,并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差,物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
技術(shù)特點(diǎn)
防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì);
降溫速度快,常溫降至 77k<25mins,大大提高測(cè)試效率;
液氮自動(dòng)控制系統(tǒng),液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共同控制溫度。
