產品參數 |
型號 | IXFN180N10 |
類型 | 2個N溝道 |
漏源電壓(Vdss) | 53 |
連續漏極電流(Id) | 28 |
功率(Pd) | 68 |
導通電阻 | 360 |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 8 |
柵極電荷(Qg@Vgs) | 330 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 9pF@15V |
反向傳輸電容(Crss@Vds) | 0.2pF@50V |
工作溫度 | 23 |
封裝/規格 | TO-247 |
包裝 | 盒裝 |
認證機構 | 3c |
最小包裝量 | 1 |
封裝 | 標準封裝 |
批號 | 21 |
數量 | 300 |
制造商 | IXYS |
產品種類 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安裝風格 | ChassisMount |
封裝/箱體 | SOT-227-4 |
通道數量 | 1Channel |
晶體管極性 | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓 | 100V |
Id-連續漏極電流 | 180A |
RdsOn-漏源導通電阻 | 8mOhms |
Vgs-柵極-源極電壓 | 20V |
最小工作溫度 | -55C |
最大工作溫度 | 150C |
Pd-功率耗散 | 600W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 9.6mm |
長度 | 38.23mm |
系列 | IXFN180N10 |
晶體管類型 | 1N-Channel |
寬度 | 25.42mm |
下降時間 | 65ns |
上升時間 | 90ns |
典型關閉延遲時間 | 140ns |
典型接通延遲時間 | 50ns |
單位重量 | 30g |
品牌 | IXYS | |
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