高Q高頻電容器適用于微波相控陣雷達T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計時電路、天線調諧、磁共振成像系統等設備中起耦合、調諧、旁路、隔直作用；

產品詳情
高Q高頻電容器適用于微波相控陣雷達T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計時電路、天線調諧、磁共振成像系統等設備中起耦合、調諧、旁路、隔直作用；

1.特點

尺寸規格系列化，適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件；

具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點；

損耗低、電容量穩定性高、工作頻率最高可達3GHz；

國軍標生產線生產；

軍用通訊、雷達、炮彈引信、艦船及航空、航天、武器系統的地面電子設備及民用高端設備；

使用于各類設備中的高頻電路、VHF-微波段、射頻及放大電路中。



2.主要性能指標

溫度系數：C0G：0±30ppm/℃；

電容量漂移：不超過±0.2或±0.05pF，取較大者；

品質因數（Q值）：頻率為1MHz/1KHz時大于2000

老化特性：無；

絕緣電阻；在20℃下：≥100000MΩ

工作溫度：-55~125℃



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