IXFN100N20艾賽斯可控硅mos管工作原理

　　德國IXYS艾賽斯可控硅模塊--可控硅有多種分類方法。

　　（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

　　（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

　　（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

　　（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

　　（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

　　（六）過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。

　　（七）非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。

　　可控硅型號

　　按一機部IBI144一75的規定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:額定速態平均屯成系列共分為14個。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。

　　綜上所述，小結如下:

　　(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成。

　　(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。

　　(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。

　　(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。

　　(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。

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　　艾賽斯IXYS半控可控硅模塊：