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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| FF200R12KE4 電子元器件 英飛凌/INFINEON 封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝 批號(hào)19 品牌 | 英飛凌 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 19 | ||
| 數(shù)量 | 2000 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.05 V | ||
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 240 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 1100 W | ||
| 封裝 / 箱體 | 62 mm | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 高度 | 30.5 mm | ||
| 長度 | 106.4 mm | ||
| 寬度 | 61.4 mm | ||
| 安裝風(fēng)格 | Chassis Mount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
| 零件號(hào)別名 | FF200R12KE4HOSA1 SP000370604 FF200R12KE4HOSA1 | ||
| 單位重量 | 340 g | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號(hào) | FF200R12KE4 | ||
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| 品牌： | 英飛凌/INFINEON |
| 型號(hào)： | FF200R12KE4 |
| 封裝： | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| 批號(hào)： | 19 |
| 數(shù)量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | IGBT 模塊 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2.05 V |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流： | 240 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 1100 W |
| 封裝 / 箱體： | 62 mm |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 最大工作溫度： | 150 C |
| 高度： | 30.5 mm |
| 長度： | 106.4 mm |
| 寬度： | 61.4 mm |
| 安裝風(fēng)格： | Chassis Mount |
| 柵極/發(fā)射極最大電壓： | 20 V |
| 零件號(hào)別名： | FF200R12KE4HOSA1 SP000370604 FF200R12KE4HOSA1 |
| 單位重量： | 340 g |
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