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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| IXFN132N50P3 電子元器件 IXYS/艾賽斯 封裝標準封裝 批次21 品牌 | 艾賽斯 | ||
| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數(shù)量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 系列 | HiPerFET? | ||
| Polar3? | |||
| FET 類型 | N 通道 | ||
| 漏源電壓（Vdss） | 500 V | ||
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 112A（Tc） | ||
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA | ||
| Vgs（最大值） | ±30V | ||
| 功率耗散（最大值） | 1500W（Tc） | ||
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ||
| 安裝類型 | 底座安裝 | ||
| 封裝/外殼 | SOT-227-4，miniBLOC | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 類型 | 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - | ||
| 型號 | IXFN132N50P3 | ||
