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| 產品參數 | |||
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| 品牌 | 英飛凌infineon | ||
| 種類 | IGBT 模塊 | ||
| 批號 | 20＋ | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | 1200 V | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.15 V | ||
| 在25 C的連續集電極電流 | 75 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 100 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 395 W | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 封裝 | Tray | ||
| 系列 | Trenchstop IGBT4 - T4 | ||
| 柵極/發射極最大電壓 | 20 V | ||
| 單位重量 | 160 g | ||
| 可售數量 | 999 | ||
| 616777930 | |||
| 微信 | bm7659 | ||
| 官網 | http | //www.bami-power.com | |
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | FF75R12RT4 | ||
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英飛凌IGBT模塊，基本參數、型號FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊,產品型號齊全，IGBT模塊精工設計,內在質量優良,外形美觀耐用,安裝操作方便，原廠正規授權，正品保證。英飛凌IGBT模塊本公司長期備有大量現貨庫存，堅持以“品質保證、現貨經營、薄利多銷、服務至上”的經營理念向客戶提供優質的服務。
