1200℃井式氣相沉積爐

CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學(xué)氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 專用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (100～1200℃可調(diào) ) ，它已成為機(jī)械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。
 ※產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：

CNT公司CVD設(shè)備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵或擴(kuò)散泵高真空系統(tǒng)，電源，生長(zhǎng)機(jī)體載體及溫控系統(tǒng)，獨(dú)立排氣和生長(zhǎng)壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動(dòng)控制與工控機(jī)自控控制可選。實(shí)現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。