擴散爐主要滿足半導體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。
擴散爐技術(shù)指標：
t可處理硅片尺寸：212英寸
t外型形式：臥式14管結(jié)構(gòu)
t工作溫度：200℃1300℃
t恒溫區(qū)長度及精度：200mm1100mm≤±0.5℃
t單點溫度穩(wěn)定性、重復性： ≤±1℃/24h
t溫度斜變： 可控升溫速率15℃／min
t可控降溫速率： 5℃／min
t送片裝置：全自動懸臂推拉舟、拉桿式推拉舟
t氣路系統(tǒng)：15路工藝氣體／管
t氣體控制：全自動MFC
t控制方式：工控機、觸摸屏
