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　　柵極絕緣膜厚度小
　　按制程順序，后形成的薄膜必須良好地覆蓋先形成薄膜形狀的高低臺階差。就非晶硅型TFT而言，柵極絕緣膜必須覆蓋柵極金屬層，為了掃描線信號延遲的考慮，柵極金屬層必須有一定的厚度，使掃描線上的亞像素等效電阻不至于太大，而柵極絕緣膜一般需要比被覆蓋的柵極金屬層厚度更大，才能完整覆蓋柵極金屬層，以免常見的短路缺陷的發生；非晶硅型TFT的柵極金屬層與柵極絕緣膜厚度，一般值各約為200nm與360nm。另一方面，就LTPSTFT而言，柵極絕緣膜只需覆蓋半導體層即可，由于半導體層并不用來作為導線使用，厚度不需要太大，LTPSTFT的半導體層與柵極絕緣膜厚度的一般值各約為50nm與100nm。
　　一般會利用柵極絕緣層形成儲存電容，雖然一般LTPSTFT的柵極絕緣層使用的是氧化硅膜，介電常數約為3.9，比一般非晶硅型TFT的柵極絕緣層使用的氮化硅膜的介電常數6.9要小，但最后柵極絕緣層的介電常常數與厚度的比值，LTPSTFT仍會比非晶硅型TFT大了約為2倍，使得儲存電容的面積可以降低分為二分之一左右。

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