研發案例

       公司現采用成熟的低氧工藝，磁體的氧含量可以控制在1000ppm內。可以滿足較高性能 的工藝要求。近年又通過技術開發，逐漸研發了滲鏑技術工藝，大大的提高了磁體的內稟矯頑力，磁體Hcj 可以提高4000-8000KOe。滿足客戶高溫老化要求同時增加產品的市場競爭力。研發團隊經過嚴格的過程控制方法，突破了細化晶粒工藝，磁體的晶粒尺寸可以控制在4-6nm如圖，晶粒尺寸細小均勻，大幅度提高磁體內稟矯頑力。