DAIKIN柱塞泵V15A3LX-95日本大金V15A3LX-95，組合控制C---電磁閥調(diào)壓法J
V15C12RJAX-95、V15C13RJAX-95、V15C23RJAX-95、V15C11RJAX-95、V15C22RJAX-95、
V15C12RJBX-95、V15C13RJBX-95、V15C23RJBX-95、V15C11RJBX-95、V15C22RJBX-95、
V15C12RJNX-95、V15C13RJNX-95、V15C23RJNX-95、V15C11RJNX-95、V15C22RJNX-95、
V15C12RJPX-95、V15C13RJPX-95、V15C23RJPX-95、V15C11RJPX-95、V15C22RJPX-95、
V23C12RJAX-35、V23C13RJAX-35、V23C14RJAX-35、V23C23RJAX-35、V23C24RJAX-35、
V23C11RJAX-35、V23C22RJAX-35、V23C12RJBX-35、V23C13RJBX-35、V23C14RJBX-35、
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V23C13RJNX-35、V23C14RJNX-35、V23C23RJNX-35、V23C24RJNX-35、V23C11RJNX-35、
V23C22RJNX-35、V23C12RJPX-35、V23C13RJPX-35、V23C14RJPX-35、V23C23RJPX-35、
V23C24RJPX-35、V23C11RJPX-35、V23C22RJPX-35、V38C12RJAX-95、V38C13RJAX-95、
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2.1每塊磁鐵中部的磁場強(qiáng)度小，靶材濺射溝淺；磁鐵間縫隙磁場強(qiáng)度大，濺射溝深。
磁鐵中部的磁場強(qiáng)度小，縫隙磁場強(qiáng)度大，這一現(xiàn)象是由磁鐵的物理屬性造成的。磁場強(qiáng)度大的地方濺射溝深，這是因?yàn)榇艌鰪?qiáng)度大的區(qū)域二次電子和離子密度大；磁場強(qiáng)度小的地方濺射溝淺，這是因?yàn)榇艌鰪?qiáng)度大的區(qū)域二次電子和離子密度小。
2.2靶材報(bào)廢時(shí)濺射溝中心線不在磁鐵N、S極正中間，而是偏向外邊即N極12.5㎜左右，新靶濺射溝的中心線，偏向N極8.5㎜左右。
離子在向陰極運(yùn)動過程中，受到正交電磁場的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)，因此濺射溝中心線不在磁鐵N、S極正中間，而是偏向N極，離子體距離新靶的靶面近，離子的偏移量小，因此濺射溝的中心線只偏向N極8.5mm左右，而舊靶的濺射溝距磁鐵近，磁場強(qiáng)度大，并且距離子遠(yuǎn)，偏移量大，因此濺射中心線偏向N極12.5mm左右。V23C23RJBX-35、V23C24RJBX-35、V23C11RJBX-35、V23C22RJBX-35、V23C12RJNX-35、
DAIKIN柱塞泵V15A3LX-95日本大金V15A3LX-95，V23C13RJNX-35、V23C14RJNX-35、V23C23RJNX-35、V23C24RJNX-35、V23C11RJNX-35、
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靶材濺射溝隨磁中、磁隙呈波浪狀起伏，在磁鐵中部濺射溝偏向中間，即S極，在磁鐵縫隙濺射溝偏向外邊，即N極。其原理同上。
2.4靶材兩端圓弧段比中間直線段的濺射溝要深一些，約25%。
雖然圓弧段比中間直線段磁場強(qiáng)度要小很多，但因?yàn)殡娮舆\(yùn)動到該處受到阻塞，再加上泵抽效應(yīng)的影響，致使該處的等離子體密度大，濺射效率高，濺射溝深。
2.5 HRC-5100型靶的靶長2695mm而玻璃最大寬度為2134mm，即靶材的兩邊有（2695-2134）/2=561/2=280.5mm沒有有效地沉積到玻璃上。玻璃的邊緣約對應(yīng)靶的第4個(gè)孔和第32孔，從（表1）可以看出，濺射溝兩端最深處的濺射，基本沒有沉積到玻璃上，而該處靶材濺射效率卻最高，造成靶材過早地報(bào)廢。
為了消除邊緣效應(yīng)、泵抽效應(yīng)，使膜層橫向均勻，而人為將靶設(shè)計(jì)寬一些，同時(shí)為滿足磁控濺射工藝，將磁場設(shè)計(jì)成環(huán)形，防止電子流失控。
如果我們適當(dāng)?shù)亟档桶胁膬啥说拇盆F強(qiáng)度，這樣就可以既不影響整板玻璃的橫向色差均勻度，又能減少高濺射速率區(qū)域的濺射速率，提高靶材壽命。
3.靶材磁場的調(diào)整
3.1 找出調(diào)整點(diǎn)
根據(jù)表1我們不難看出，靶材直線段最深處一般不超過21.0mm，而圓弧段都超過21.0mm，因此我們把深度超過21.0mm的點(diǎn)定為調(diào)整點(diǎn)。在靶材的上半部，共有左圓弧段磁隙、圓弧段中部、33孔、31孔、3孔和圓弧段中部六個(gè)點(diǎn)的磁場需要調(diào)整，在靶材的下半部，共有圓弧段中部、33孔、11孔、7孔、5孔、4孔、3孔、圓弧段中部和右圓弧段磁隙九個(gè)點(diǎn)的磁場需要調(diào)整。
3.2調(diào)整的標(biāo)準(zhǔn)
在表1中我們可以看出，同樣的磁場強(qiáng)度，由于所處的位置不同，其左、右磁場強(qiáng)度的不同，都會造成濺射深度的不同。因此很難明確指出應(yīng)當(dāng)將調(diào)整點(diǎn)的磁場強(qiáng)度調(diào)整到某個(gè)數(shù)值，或降幾個(gè)百分點(diǎn)，這需要憑經(jīng)驗(yàn)來摸索。有一點(diǎn)非常關(guān)鍵，在調(diào)整圓弧段磁場強(qiáng)度時(shí)，如果降得過多，將造成無法保持電子流，無法形成異常輝光放電，也就無法形成濺射。
DAIKIN柱塞泵V15A3LX-95日本大金V15A3LX-95，3.3調(diào)整的方法
3.3.1先準(zhǔn)備一些低碳鋼條，6mm寬，3mm厚，20～100mm長。
3.3.2將磁鐵上的壓緊鋁排拆下，刮干凈磁鐵上的銹跡。
3.3.3在調(diào)整點(diǎn)的磁鐵中部放上鋼條，模擬靶材表面的實(shí)際高度，測量該點(diǎn)的磁場強(qiáng)度，根據(jù)測量值，調(diào)整鋼條的長度，裝上鋁壓排、銅板和新靶材，在這套靶材將要報(bào)廢時(shí)，再次測量靶材磁場強(qiáng)度和濺射深度，作為再次調(diào)整磁場強(qiáng)度的依據(jù)。磁場強(qiáng)度的調(diào)整，是一個(gè)非常細(xì)致，需要耐心和經(jīng)驗(yàn)的工作，某一點(diǎn)磁場強(qiáng)度的改變，都會造成旁邊兩個(gè)點(diǎn)的磁場強(qiáng)度改變。
通過對調(diào)整后幾套靶的實(shí)際使用效果觀察，我們發(fā)現(xiàn)一套靶中濺射溝最淺處同比增加2.8mm，一套靶的利用率提高了約11%，按現(xiàn)在每套鈦靶4.2萬元，每年消耗16套靶，不銹鋼靶3.4萬元，每年消耗6套計(jì)算，每年可節(jié)約資金約9.64萬元。同時(shí)可延長換靶周期11%，增加了有效工作時(shí)間。
